一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法

摘要：

AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性.通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10％.实验测量结果表明,在0.1 ～40 GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好.

关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管、大信号、模型、片上(在片)测试

所属期刊栏目：35

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61234001

在线出版日期：2016-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：82-85,95