激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

摘要：

为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98％,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜.利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长.当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9％提高到72％.

关键词：纳米晶硅、等离子体化学气相沉积、晶化率

所属期刊栏目：31

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：上海市教委重点学科资助项目J51402

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-18,23