泡沫介孔硅-聚合离子液体修饰电极差分脉冲伏安法测定锡(Ⅱ)含量

摘要：

以具有介观大小孔道结构、较高比表面积、较强吸附能力的泡沫介孔硅(MCF)为电极修饰材料,以聚合离子液体(PIL)为粘结剂,将MCF修饰到玻碳电极(GC)上,成功制备了MCF-PIL/GC电极.在此基础上,应用差分脉冲伏安技术(DPV),研究锡(Ⅱ)离子在该电极上的电化学响应行为,考察了MCF用量、富集电压、静置时间和扫描速率等因素对锡(Ⅱ)离子溶出峰电流的影响,确定了测定溶液中锡(Ⅱ)离子浓度的最佳条件.研究表明:MCF-PIL/GC电极能够实现锡(Ⅱ)离子电化学测定,在最佳测试条件下,锡(Ⅱ)离子在5.75～35.75 μmol·L-1与切线电流响应呈良好的线性关系.

关键词：泡沫介孔硅、锡(Ⅱ)离子、差分脉冲伏安法、修饰电极

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分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：功能无机材料化学教育部重点实验室开放课题;辽宁省教育厅高等学校基本科研项目;感谢沈阳师范大学大学生创新创业训练计划项目的支持

在线出版日期：2021-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6