确定微纳米尺度金属薄膜拉伸分叉点的实验研究
为了确定微纳米尺度金属薄膜的拉伸分叉点,本文使用磁控溅射镀膜技术,在PI(聚酰亚胺)基底上沉积500nm厚的铜薄膜,制作薄膜/基底结构拉伸试件.在单轴拉伸作用下,通过测量拉伸加载过程中铜薄膜的电阻变化情况,得到薄膜电阻随应变变化的关系,并与理论推导的结果进行对比分析,从而确定了塑性阶段理论曲线与实验曲线分离的点,即铜薄膜的分叉点.以此为基础,研究了铜薄膜在单轴拉伸作用下的分叉行为.研究结果表明,沉积于PI基底上的微纳米尺度铜薄膜在单轴拉伸下,经过弹性变形阶段后,很快就发生分叉,然后产生破坏,而塑性变形阶段和局部化阶段较短;弹性阶段薄膜的电阻变化速率很小,塑性阶段薄膜的电阻变化 速率稍有增大,而当薄膜表面开始出现微裂纹后,电阻变化速率急剧增大.
微纳米薄膜、分叉、电阻、电阻电测法
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O344.7(固体力学)
2014-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
133-139