硅的反应离子刻蚀实验研究

摘要：

采用SF6和O2为刻蚀气体,在275 m(torr)的反应压力下对硅进行了反应离子刻蚀实验研究.通过不断调节射频功率、刻蚀气体的流量等系列对比实验,研究、探索并优化了对硅的反应离子刻蚀工艺条件.实验研究得出的最优化条件:射频功率为120 W,SF6和O2的流量为36 cm3/s和6 cm3/s.在该工艺条件下获得三个重要的刻蚀参数:刻蚀速率为1 036nm/min,对氧化物的选择比为56.6,均匀性为4.41％.

关键词：反应离子刻蚀、硅、刻蚀速率、选择比、均匀性

所属期刊栏目：13

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2015-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：25-26,30