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10.3969/j.issn.1672-4550.2011.02.008

退火温度对MnZn铁氧体薄膜性能的影响

引用
采用射频磁控溅射法在Si(111)基片上沉积了MnZn铁氧体薄膜,用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的物相结构,用振动样品磁强计(VSM)测量薄膜面内饱和磁化强度M.和矫顽力Hc.结果表明:随着退火温度的升高,MnZn铁氧体薄膜的X射线衍射峰强度逐渐增强,且主峰逐渐由(311)峰变为(222)峰,沿(111)面取向生长明显.薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均随着退火温度的升高而升高.

MnZn铁氧体薄膜、射频磁控溅射、相结构、饱和磁化强度、矫顽力

9

TM277.1(电工材料)

2011-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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实验科学与技术

1672-4550

51-1653/N

9

2011,9(2)

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