10.3969/j.issn.1672-4550.2010.04.002
MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨
基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一.文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础.
MOS晶体管、三级模型、直流参数、交流小信号、参数提取
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TN386.1(半导体技术)
2010-11-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
4-5,19