磁场退火温度对Ni80Fe20薄膜磁畴结构的影响研究

摘要：

利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100 nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响.利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构.结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860 nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构.

关键词：Ni80Fe20薄膜、磁畴、磁场退火

所属期刊栏目：30

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：北京科技大学研究型教学示范课建设项目JY2011SFK18;北京科技大学教育教学改革研究项目重点JG2011Z14

在线出版日期：2013-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：56-59