硫化镉/石墨烯/TiO2纳米棒阵列的光电化学性能

摘要：

采用水热法在掺氟导电玻璃(FTO)上生长TiO2纳米棒阵列.通过电化学伏安法将氧化石墨烯还原并沉积在TiO2纳米棒阵列上,再经过化学水浴沉积硫化镉,形成CdS/石墨烯/TiO2阵列复合材料.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能量色散仪对样品的晶型、形貌以及成分进行分析.通过电化学工作站表征样品交流阻抗、开路电位、光电流响应及光化学能转换效率.结果表明,复合材料的电荷转移电阻约是未修饰的TiO2纳米棒阵列的1/17,光电流比未修饰的TiO2纳米棒阵列提高约2.5倍,在外加电压为-0.6 V时可达到2.2％.

关键词：TiO2纳米棒、硫化镉、石墨烯、光电化学性能

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分类号：TM912

资助基金：国家自然科学基金项目21476262;青岛市科技发展计划项目14-2-4-108-jch;中央高校基本科研业务费专项15CX05032A

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：175-179