硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的p型硅衬底上沉积氧化锌薄膜,制备了ZnO/p-Si异质结.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌.研究室温下不同电阻率的硅衬底对ZnO/p-Si异质结电流-电压特性和酒精敏感特性的影响.结果表明:ZnO薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向,表面颗粒分布均匀；ZnO/p-Si异质结酒精敏感性依赖于p-Si衬底,当p-Si衬底的电阻率为10～20Ω· cm时,其气敏性能最强；该异质结在+4.0 V的偏置电压下,对0.024 g/L酒精气体的灵敏度为39.7％.

关键词：ZnO薄膜、p-Si衬底、电阻率、气体传感器

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分类号：O611.62;O614.24(无机化学)

资助基金：山东省自然科学基金项目ZR2011AL023;中国石油大学华东校自主创新项目11CX0406A;大学生创新训练计划20121165

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：179-183