10.3321/j.issn:1000-5870.2000.03.007
甲烷部分氧化制合成气反应中热点位置的研究
将热电偶插入Lo2O3-Ni/MgAl2O4催化剂反应床层,通过移动热电偶详细考察了反应炉温、空速、原料气组成和加入水蒸气对甲烷部分氧化制合成气反应床层温升的影响.结果表明,反应热点位于催化剂床层入口处,而且热点位置不受上述因素的影响.但是,其温升值随空速的增大而升高,随反应炉温的升高而降低.反应中引入水蒸气可以降低反应热点的温度,但同时使产物中CO2含量增大.根据反应热计算了燃烧-重整机理和直接转化机理的绝热温升,与实验结果的对比表明,反应床层的温升主要来自于部分氧化反应的放热,即甲烷部分氧化制成气可能是按直接转化机理进行的.极高空速时低甲烷转化率下合成气的选择性开未发生明显的变化,这也进一步证明了上述结论.
甲烷、部分氧化、合成气、化学反应热点
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O643.32;TE646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
中国石油天然气集团公司资助项目960021-07
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
22-25,29