ATM基因在低剂量电离辐射诱导EL-4细胞适应性反应中的作用

摘要：

目的:探讨低剂量电离辐射诱导EL-4细胞适应性反应中ATM基因的作用.方法:EL-4细胞应用渥曼青霉素处理后接受低剂量0.075 Gy预先照射,再分别进行较高攻击剂量照射(1.0,1.5和2.0 Gy),RT-PCR和免疫荧光法检测ATM mRNA及蛋白表达.同时应用流式细胞术检测细胞凋亡和周期进程变化.结果:渥曼青霉素能够阻断ATM基因在mRNA及蛋白水平的表达.应用渥曼青霉素后直接接受攻击剂量照射和应用渥曼青霉素后先接受低剂量0.075Gy预先照射后再接受攻击剂量照射,均能诱导EL-4细胞发生适应性反应.结论:ATM基因可能不影响低剂量电离辐射诱导EL-4细胞发生适应性反应.

关键词：低剂量辐射、适应性反应、EL-4细胞、ATM基因

所属期刊栏目：20

分类号：R73-33(肿瘤学)

资助基金：吉林省科技厅社发处项目20090458;吉林省自然科学基金项目201015183;吉林大学中日联谊医院青年科研基金项目2009;2009年吉林大学基本科研业务费青年教师创新项目421010043430;2011年吉林大学基本科研业务费科学前沿与交叉学科创新项目450060445247

在线出版日期：2012-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：477-480