磁控溅射参数对钛酸锶钡薄膜生长及介电性能的影响

摘要：

在Pt／Ti／SiO2／Si（110）衬底上利用射频磁控溅射法制备了 Ba1-xSrxTiO3（BST）薄膜。基于薄膜的形核理论，研究了成膜时间、衬底温度、溅射功率、溅射气压、氧氩比、退火热处理等参数对薄膜的表面形貌和介电性能的影响。结果表明：在其他溅射参数一定的条件下，薄膜的厚度随溅射时间成指数关系增长；在退火温度600℃下热处理20 min薄膜完全晶化；调节衬底温度、溅射功率、溅射气压等参数有助于制备出表面致密、晶粒大小均匀、具有高介电常数和低损耗的 BST薄膜。

关键词：射频磁控溅射、钛酸锶钡薄膜、表面形貌、介电性能

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51372148；中央高校基本科研业务费创新团队资助项目GK201401003．

在线出版日期：2014-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：37-42