CaCu_3Ti_4O_（12）-xZnO陶瓷介电性能研究

摘要：

采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xZnO（x=0,0.05,0.20,0.60,1.00）陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明：添加ZnO可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,降低CCTO陶瓷样品高频范围的介电损耗.当x=1时,在1kHz～1MHz频率范围内,tanδ均小于1.1,并且可将陶瓷的压敏电压提高至100V/mm.这为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用,提供了一定的实验依据.

关键词：CaCu3Ti4O12(CCTO)、巨介电常数、压敏电压

所属期刊栏目：40

分类号：TB333;TB484.5(工程材料学)

资助基金：基金项目:国家自然科学基金资助项目50872078

在线出版日期：2012-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26