CaCu_3Ti_4O_（12）-xMg_2TiO_4陶瓷的介电性能

摘要：

采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xMg2TiO4（x=0,0.2,0.4,0.6）陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCTO材料微观结构和介电性能的影响.结果表明：添加Mg2TiO4可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低CCTO陶瓷样品低频范围的介电损耗.当x=0.2时,在50~150 Hz频率范围内,tanδ均在0.05附近.该实验结果为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用提供了实验依据.

关键词：CaCu3Ti4O12(CCTO)、巨介电常数、电流-电压非线性

所属期刊栏目：39

分类号：O487(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50872078

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-26,30