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Al_2O_3掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能与I-U非线性特征

引用
采用固相反应法,制备了一系列(1-x)CaCu3Ti4O12-xAl2O3(x=0,0.15,0.30,0.40)复相陶瓷.结果表明:Al2O3掺杂使CaCu3Ti4O12基陶瓷在降低低频范围内的介电损耗之外,同时使压敏电压大幅度的提高.当Al2O3的含量为0.30时的样品具有良好的综合电学性能:rε=2 000,tanδ=0.04(1 kHz),压敏电压Eb=1 084 V/mm且非线性系数α=4.6.

压敏电压、I-U非线性特征、巨介电常数

39

O469;TB333(真空电子学(电子物理学))

国家自然科学基金资助项目50872078 50772065

2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

34-38

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陕西师范大学学报(自然科学版)

1672-4291

61-1071/N

39

2011,39(4)

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