扶手椅型氮化硼纳米带双空位缺陷第一性原理研究

摘要：

在广义梯度近似下,采用密度泛函理论框架下的第一性原理投影缀加波赝势方法,研究了扶手椅型氮化硼(BN)纳米带(锯齿边缘)双空位缺陷效应.结果表明:垂直双空位结构优化后形成一个14环,斜向双空位在奇数宽度纳米带中形成4-10-4环,而在偶数宽度纳米带中形成5-8-5环.这两种双空位的形成过程是吸热的,垂直双空位的形成能比斜向双空位的形成能高.随着BN纳米带宽度的增加,两种双空位的形成能均有减少.双空位的存在虽不改变BN纳米带的半导体特性,但改变了费米能级附近的能带结构.

关键词：BN纳米带、双空位缺陷、电子结构、能带结构、第一性原理

所属期刊栏目：39

分类号：O562.1(分子物理学、原子物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973项目2004CB619302;国家自然科学基金资助项目51071098

在线出版日期：2011-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26