Al掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

摘要：

采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlXO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz～1 kHz频率范围内,tan δ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al3+取代Ti4+可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.

关键词：巨介电常数、介电弛豫、直流偏压

所属期刊栏目：37

分类号：O511.2+4(低温物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50872078

在线出版日期：2011-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：39-42,46