低温铝诱导形成纳米硅的特性研究

摘要：

采用玻璃/氢化非晶硅(a-Si:H)/铝结构,在低温(≤350℃)下,应用铝诱导晶化法(AIC),形成了纳米硅(nc-Si).利用X射线衍射(XRD)光谱、拉曼(Raman)光谱和紫外可见近红外光谱(UV-Vis-NIR),研究了退火升温时间对a-Si:H薄膜的结构及其光学特性的影响.结果表明,随着退火升温时间的增加,a-Si:H膜的晶化率Xc增加而硅晶粒尺寸基本不变,光吸收系数a增加.这主要是由于铝和氢化非晶硅膜之间的氧化层很薄以及退火升温导Al-Si之间的互扩散增强,使硅的成核密度很高和扩散到a-Si:H膜中的铝浓度较高造成的.

关键词：非晶硅、纳米硅、铝诱导晶化、拉曼光谱

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2007-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54