GaInP2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究

摘要：

采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP-Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简写为LP-MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结的重掺杂和互扩散特性进行了研究.结果表明,在生长温度为600℃,H2Se流量为3 mL/min及隧道结N型层掺杂剂选用Se的条件下,可得到电子浓度为5×1019 cm-3;而采用自掺C(通过不断改变五族元素与三族元素之比)可得到P型载流子浓度为1017～1021 cm-3的GaAs隧道结.说明该生长方法可获得电池隧道结中高掺杂水平的PN结,并且能够达到抑制掺杂杂质互扩散现象的设计要求.

关键词：GaAs、隧道结、掺杂

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分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金2040174032;长安大学校科研和教改项目2004J01

在线出版日期：2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-39,43