热处理温度对AlP/SiO2纳米复合材料发光的影响

摘要：

对不同温度热处理的xAlP/100SiO2纳米复合材料的光致发光进行了研究.结果表明,500℃热处理的样品光致发光谱只有位于585 nm附近的发光峰,它来源于表面态和缺陷复合发光.600℃热处理的样品有两个发光峰,分别位于585*"nm和635*"nm附近.分析认为,635*"nm处的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有利于晶粒的生长,从而使表面态和缺陷发光明显减弱,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰.

关键词：热处理温度、AlP/SiO2纳米材料、隧穿复合发光

所属期刊栏目：29

分类号：O433.5(光学)

资助基金：陕西省教委专项科研基金资助项目99JK146

在线出版日期：2011-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：50-52