镉对豌豆根边缘细胞和早期幼根生长的毒害

摘要：

[目的]本文旨在探究镉(Cd2+)对豌豆根边缘细胞(RBC)和早期幼根的伤害.[方法]以豌豆为材料,采用根悬空培养的方法,研究了0、1、2、5 μmol·L-1 Cd2+对豌豆根边缘细胞和早期幼根生长的影响.[结果]镉对豌豆根边缘细胞和幼根产生胁迫伤害,且存在剂量效应.较高浓度的镉胁迫显著降低豌豆 RBC的数量、诱导 RBC凋亡.1、2、5 μmol·L-1 Cd2+胁迫,RBC数量分别比对照减少 7.42%、15.42%和 32.17%.RBC凋亡率分别比对照上升40.53%、160.61%和306.60%.镉胁迫诱导RBC黏胶层增厚,与对照比增加了55.40%、148.74%和248.21%;镉诱导豌豆幼根抗氧化酶POD、SOD、CAT活性升高,活性氧含量增加.1、2、5 μmol·L-1 Cd2+胁迫,幼根SOD活性分别比对照升高了39.71%、46.51%和53.91%,活性氧荧光强度分别比对照增加了12.66%、16.18%和44.37%;镉胁迫还引起豌豆幼根膜脂过氧化,细胞膜透性加大,1、2、5 μmol·L-1 Cd2+胁迫下MDA的含量分别比对照高 140.67%、155.98%和 161.24%,细胞膜透性分别比对照高 11.22%、13.32%和 31.81%.[结论]镉胁迫诱导豌豆RBC凋亡死亡,使根失去RBC的保护作用.镉进一步对根产生氧化胁迫伤害,最终抑制幼根的生长发育.

关键词：镉胁迫、豌豆、根边缘细胞、幼根、毒害

所属期刊栏目：43

分类号：S529(豆类作物)

资助基金：山西省重点研发计划项目201803D221011-5

在线出版日期：2023-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：68-75