柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响

摘要：

针对钴阻挡层化学机械抛光(CMP)中,Cu、Co、TEOS等多种异质材料去除速率选择性差,采用络合剂柠檬酸钾配制多层铜布线钴阻挡层抛光液,研究了柠檬酸钾含量对Cu、Co、TEOS去除速率及选择性的影响,并在钴阻挡层图形片上进行了平坦化验证.结果 表明,柠檬酸钾能够有效地提高Cu、Co、TEOS三者的去除速率,当磨料为5％(质量分数),H2 O2为5 mL/L,TT-LTK为0.5 mL/L,柠檬酸钾为30 mmol/L,pH=10时,铜、钴、TEOS的去除速率分别达到216,530,493(A)/min.此时,Co与Cu和TEOS与Cu的去除速率选择比较高,可达VCu∶VCo∶VTEOS≈1∶2.45∶2.28,碟形坑和蚀坑的深度得到有效降低,铜钴晶圆表面粗糙度得到明显改善.

关键词：化学机械抛光;铜;钴;TEOS;去除速率;柠檬酸钾

所属期刊栏目：50

分类号：TQ421.4;TN305.2

资助基金：国家科技重大专项资助项目;河北省自然科学基金

在线出版日期：2021-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2372-2376,2381