10.3969/j.issn.1671-3206.2021.09.007
AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素.研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响.结果 表明,随EO加成数增加,抛光液表面张力和接触角逐渐增大,润湿性逐渐变差,抛光液中大颗粒数先减少后增加,当EO数为9时,大颗粒数最少,且粒径分布(PSD)趋于窄化.随EO加成数增加,Ta去除速率基本不变,Cu和SiO2介质去除速率分别由378(A)/min和695 (A)/min降至167(A)/min和234/(A)/min,当EO加成数为9时,粗糙度最低,可达0.72 nm,且Cu和SiO2介质去除速率与baseline接近.
铜互连;阻挡层CMP;表面活性剂;EO加成数;粗糙度;大颗粒计数;粒径;去除速率
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TQ421.4;TN305.2
国家科技重大专项资助项目;国家自然科学基金青年科学基金资助项目;河北省自然科学基金资助项目
2021-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
2362-2366