青霉素在硼掺杂金刚石薄膜电极上的电化学行为研究

摘要：

采用直流等离子体化学气相沉积法制备了硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极.利用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗谱(EIS)研究青霉素在BDD电极上的电化学过程,并利用等效电路对相关的电极动力学参数进行了拟合.研究表明,青霉素G钠在电极上的电化学氧化过程为不可逆过程,氧化峰电位为2.2V,没有还原峰出现,电极表面有中间产物的吸附,但在高于水分解电压下氧化能够恢复原来的活性.当电极电位在开路电位(OCP)至1.5V时,电极过程由电荷传递过程和传质扩散过程共同控制,即电化学极化与浓差极化同时存在;当电极电位在1.8～2.5 V时,电极过程由电荷传递过程控制.

关键词：硼掺杂金刚石、循环伏安、电化学阻抗谱、电化学行为、青霉素

所属期刊栏目：49

分类号：TQ153.6

资助基金：国家自然科学基金项目资助;中国博士后科学基金;黑龙江省政府博士后资助

在线出版日期：2020-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1888-1891,1898