垂直取向介孔SiO2二维光子晶体薄膜的制备
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10.3969/j.issn.1671-3206.2020.02.011

垂直取向介孔SiO2二维光子晶体薄膜的制备

引用
利用电化学辅助自组装法制备了垂直取向的介孔SiO2薄膜,通过循环伏安法配合高分辨率透射电镜考察硅源浓度、施加电压和沉积时间对薄膜的完整性和孔道定向性的影响.结果显示,当浓度范围为50~60 mmol/L,电压为-1.2 V和-1.3 V时,时间为15~45 s范围内,可以制得不同厚度完整性和孔道定向性较佳的介孔SiO2薄膜,薄膜孔道结构本身呈周期性排列,周期点阵常数对应于软X射线波段,可作为二维光子晶体反射镜,应用于软X射线波段.

电化学辅助自组装、介孔SiO2薄膜、软X射线、光子晶体

49

TQ127.2;TQ150.1;TQ042

2020-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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1671-3206

61-1370/TQ

49

2020,49(2)

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