TSDC法研究聚乙烯基吡咯烷酮驻极体的电荷存储性能

摘要：

使用TSDC(热刺激去极化电流)法,在2 ℃/min和3.5 ℃/min两种加热速率下,温度范围30~250 ℃,测量了聚乙烯吡咯烷酮驻极体(PVP)的放电过程.结果表明,TSDC谱图中(230 ±5)℃位置的最高峰ρ峰,是来源于热刺激下被困空间电荷的退陷阱.ρ峰的电流非常大,是因为PVP分子的侧基是包含了内酰胺的吡咯烷酮环结构,属于强极性基团,这就导致分子内体陷阱增多,被困空间电荷量大大增加,热刺激下脱困的空间电荷也大幅增加;并且还加深了PVP的陷阱深度,这些特性使得PVP驻极体具有优良的存储电荷性能.

关键词：PVP、TSDC、空间电荷、极性基团、陷阱

所属期刊栏目：47

分类号：TQ251.3;O631.2+3(基本有机化学工业)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项基金项目2016NZYQN43

在线出版日期：2018-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：730-732,736