硼掺杂金刚石薄膜电极上水杨酸的电化学行为

摘要：

硼掺杂金刚石（BDD）薄膜电极是用于电化学分析中的理想电极材料。以水杨酸（SA）为目标物，利用循环伏安法（ CV）和电化学阻抗谱（ EIS）对BDD电极上SA的电化学行为进行了研究。结果发现，SA的电化学过程有两个氧化峰，没有还原峰，氧化还原反应为不可逆反应。在低电势下出现的氧化峰电流正比于扫描速率的平方根，具有良好的线性关系，表明不可逆的氧化反应过程中扩散步骤为反应的控制步骤。电极／溶液界面的结构可以用R（QR）的等效电路拟合，当电极电位从开路电位（OCP）提高到2．5 V时，电荷转移电阻Rct从5．137×105Ω· cm2降低到4．171×102Ω· cm2，说明电极电位的增加能够加快氧化反应的进行，可以提高电催化反应速率大小。

关键词：硼掺杂金刚石、循环伏安、电化学阻抗谱、水杨酸、电化学行为

所属期刊栏目：45

分类号：TQ150.1;TQ153.6

资助基金：国家自然科学基金资助项目51308171；黑龙江省教育厅科学技术研究项目资助12541185

在线出版日期：2016-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2034-2038