碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响
采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素.结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定性增加;阴阳极距离15 μm时,碳纳米管具有最好的场发射性能.
碳纳米管、场发射、测试次数、阴阳极距离
45
TQ127.1;TN101
山西省青年科技研究基金2013021004-3,2014021020-1;山西省自然科学基金资助项目2014011049-26
2016-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1201-1204