烧结温度对SiO2-TiO2薄膜亲水性的影响

摘要：

为了确定SiO2-TiO2薄膜制备过程的最佳烧结温度,将不同SiO2与TiO2掺杂比的样品分别在400℃和500℃下煅烧,进行与水的静态接触角测试.结果表明,在一定掺杂比范围内,SiO2的掺杂能明显提高TiO2表面亲水性,并且500℃煅烧的产品亲水性要好于400℃煅烧的产品.SEM和XRD表明,500℃煅烧的产品表面颗粒粒径要大于400℃煅烧的产品的表面颗粒粒径,并且已有了比较明显的锐钛矿晶型特征峰,而400℃煅烧的产品还是无定形态,这说明SiO2的掺杂抑制了TiO2晶粒的生长和晶型的转变.而锐钛矿晶型的TiO2亲水性要远好于无定形的TiO2,致使500 ℃煅烧的产品的亲水性要好于400 ℃煅烧的产品的亲水性,因此500℃才是SiO2 -TiO2薄膜的最佳烧结温度.

关键词：SiO2-TiO2薄膜、亲水性、烧结温度

所属期刊栏目：41

分类号：TQ013.1(一般性问题)

资助基金：山西省青年科技研究基金项目2012021020-4

在线出版日期：2013-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1537-1539,1544