有机硅低聚体合成工艺

摘要：

采用一甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、一苯基三乙氧基硅烷未完全水解制备了含乙氧基的有机硅低聚体.通过正交实验分析确定最佳工艺条件为,原料配比R/Si=1.4,Ph/R=0.2,反应时间为2.5 h,反应温度为80℃.对最佳工艺条件下的有机硅低聚体进行红外光谱表征,低聚体剪切强度可达2.92 MPa.

关键词：一甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、一苯基三乙氧基硅烷、合成

所属期刊栏目：35

分类号：TQ320.62

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：943-945