渐变层线性掺杂的InGaAs/InP场助阴极的能带结构设计与仿真

摘要：

为了进一步提高阴极材料的量子效率,设计了一种新的InGaAs/InP转移电子(Transferred Eletron,TE)光电阴极结构,且在不同掺杂浓度、渐变层宽度、外加电压等条件下,利用Matlab仿真工具对能带曲线进行了模拟.实验结果表明:发射层与吸收层的掺杂比例应不高于50;能带曲线得到了更为严格的优化参数范围,可以使表面发射几率进一步提高;且由于计算中考虑掺杂浓度、费米能级移动对能带结构变化的影响,并对描述渐变区能带的双曲函数进行改进,使得计算结果比以往的计算更为准确.结果表明此种结构可以极大地提高阴极的量子效率,对进一步改进阴极参数和制备出更高灵敏度的TE阴极具有实际的指导意义.

关键词：InGaAs/InP结构、TE光电阴极、渐变函数、线性掺杂

所属期刊栏目：33

分类号：O462(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：陕西省教育厅专项科研计划项目16JK1132;陕西理工学院科研基金资助项目SLGQD14-07

在线出版日期：2017-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：87-92