10.3969/j.issn.1673-2944.2005.03.009
GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现
针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长.同时采用WinCC组态软件设计上位监控系统.经过近一年运行,MOCVD控制系统运行状况良好,控制系统具有高可靠性、抗干扰能力强、控制精度高等特点,满足系统控制要求,保证了材料生长顺利进行.
金属有机化合物化学气相淀积、可编程控制器、渐变控制、温度控制
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TP273(自动化技术及设备)
陕西省自然科学基金2004F29;陕西省科技研究发展计划2004K05-G1
2005-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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