拟南芥(Arabidopsis thaliana)氮、碳离子注入诱变效应分析

摘要：

采用N+、C+离子注入拟南芥(Arabidopsisthaliana)种子,统计了种子的发芽指数(发芽率和发芽势);用改良的RAPD技术对N+离子注入种子植株的DNA进行11个引物的随机片段多态性扩增.结果表明,合适剂量的N+、C+离子注入可使种子发芽率提高,两种离子注入种子的发芽率峰值(分别为92.3%和74.4%)都在5×1014ions/cm2;分析N+离子注入材料发现,在1×1013-1×1016ions/cm2剂量范围内,基因组DNA的变异率与发芽指数的变化趋势基本一致,变异率峰值(9.0%)在1×1015ions/cm2.结果提示,分析低能N+离子诱变效应的最佳注入剂量在1×1014-5×1015ions/cm2.对N+、C+离子注入的比较发现,一定范围内同等剂量C+离子注入的诱变率高于N+离子注入.

关键词：低能离子注入、拟南芥、离子诱变

所属期刊栏目：18

分类号：Q345(遗传学分支学科)

资助基金：国家自然科学基金19890300

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：251-255