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10.13241/j.cnki.pmb.2017.16.008

高压电场对A549细胞中ABCG2和V-ATPase的表达及其耐药性的影响

引用
目的:探讨高压电场对A549细胞中ABCG2和V-ATPase表达量的影响;探讨高压电场对A549细胞耐药性的影响.方法:MTT法测细胞生长曲线,明确能导致细胞可逆性电穿孔的最高电场强度.慢病毒构建ABCG2和V-ATPase低表达的A549细胞系,并用电场处理,用q-RT-PCR和Western-blot法检测处理前后ABCG2和V-ATPase的mRNA和蛋白表达量的变化.最适强度的高压电场处理各组细胞,在处理前后的细胞中分别加入阿霉素,用高效液相色谱法检测各组细胞中阿霉素浓度.结果:当电场强度为1500 V/cm时,肿瘤细胞增殖最慢;电场强度为1500 V/cm时,肿瘤细胞中ABCG2和V-ATPase的mRNA和蛋白的表达量分别降至对照组的58%和61%,具有统计学差异;1500 V/cm强度的电场可以提高肿瘤细胞内阿霉素的浓度3-4倍.结论:高压电场可以显著降低肿瘤细胞中V-ATPase和ABCG2的mRNA和蛋白的表达量并降低肿瘤细胞的耐药性.

高压电场、非小细胞肺癌、耐药性

17

R-33;R734.2(医学研究方法)

陕西省科技公关项目2015SF028

2017-07-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

3031-3034

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1673-6273

23-1544/R

17

2017,17(16)

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