10.7506/spkx1002-6630-201719035
电导法结合二次回归正交旋转组合设计确定黄瓜果实低温冷害临界值
为探索黄瓜果实对低温的忍受能力,为安全运输提供理论依据,本实验采用电导法结合二次回归正交旋转组合设计来确定黄瓜果实低温冷害临界值.以黄瓜电解质外渗百分率为冷害指标建立模型,得到回归方程Y=17.279 244+0.996 139x1+3.617 484x2-0.142 947x12-0.136 832x22,根据模型得出电解质外渗百分率在黄瓜受到冷害时的临界值及温度、时间对冷害的影响.最终通过验证实验确定黄瓜受到冷害时电解质外渗率的临界值为17.28%.
黄瓜、冷害指标、电导法、二次回归正交旋转组合设计
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TS255.3(食品工业)
国家自然科学基金面上项目31371526
2017-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
218-222