一种L波段高线性砷化镓驱动放大器

摘要：

本文介绍了一种基于0.5μm GaAs pHEMT工艺的L波段高线性度驱动放大器(DA).该双级放大器由堆叠结构构成,基于自偏置技术与负反馈技术,该放大器在保持低噪声的同时能够具有高线性度.实测结果显示,在0.5-1GHz宽频带范围内,输入以及输出反射系数均低于﹣20 dB,带内的典型噪声系数为0.6 dB,输出功率1dB压缩点大于17 dBm.芯片尺寸为0.8×0.75 mm2.因此,该芯片在兼顾低噪声的同时具有极佳的线性度特性和高增益,具有广泛的市场应用前景.

关键词：堆叠、低噪声、GaAs、pHMET、高线性度、宽带驱动放大器

分类号：TN304.23;TN722.3;TN432

在线出版日期：2020-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：42-43