新型二元半导体CdSe的第一性原理研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.16862/j.cnki.issn1674-3873.2018.03.013

新型二元半导体CdSe的第一性原理研究

引用
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对CdSe在44~80 GPa压力区间提出的新高压相的结构、电子能带、局域电荷密度、晶格动力学和力学稳定性进行了研究.结果表明:CdSe的Pnma新相是动力学稳定的,达到80 GPa;压力致使Pnma相能隙发生闭合;根据力学稳定性判据得出Pnma相是力学稳定的.

CdSe、高压、晶格动力学、第一性原理

39

O474(半导体物理学)

国家自然科学基金项目11404035;吉林省发改委"经济结构战略调整"引导资金专项项目2014Y135;吉林省教育厅"十三五"科学技术项目JJKH20180941KJ

2018-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

68-71

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

吉林师范大学学报(自然科学版)

1674-3873

22-1393/N

39

2018,39(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn