硅微纳复合陷光结构的制备 及在异质结太阳电池中的应用研究

摘要：

硅纳米线异质结太阳电池因具有良好的陷光效果及径向结收集特性而受到广泛关注.利用低浓度NaOH溶液在硅片表面腐蚀出微米尺度的金字塔结构,并采用反应离子刻蚀(RIE)的方式在其上进一步腐蚀出纳米线形貌,构建硅微纳复合陷光形貌结构.通过分析硅微纳复合陷光形貌结构的陷光机理,指导优化反应离子刻蚀工艺中的刻蚀时间,最终获得不同形貌结构的陷光衬底.通过分析其光学特性发现,在RIE时间为120 s时,硅微纳复合结构衬底反射率可小于5%,具有优异的陷光特性以及在硅异质结太阳电池中应用的巨大潜力.

关键词：太阳电池、纳米线、陷光结构、反应离子刻蚀

所属期刊栏目：38

分类号：TM914.4+1

资助基金：国家自然科学基金项目61475063,61505067,21576111;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-13-0824

在线出版日期：2017-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：53-58