Cd 含量对 Zn1-x Cdx O 薄膜的结构、光学和电学性能的影响

摘要：

利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn1-xCdxO（0≤x≤1）薄膜．利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究．研究发现：当x＝0～0．2时，Zn1-xCdxO薄膜为沿（002）方向择优生长的六角相结构；当x＝0．5时，合金薄膜出现了六角相和立方相共存现象；当x≥0．8时，合金薄膜为沿（200）方向择优生长的立方相结构．结构为六角相时，合金薄膜的带隙从x＝0时的3．25 eV减小到x＝0．2时的2．75 eV；结构为立方相时，薄膜的带隙从x＝0．8时的2．52 eV减小到x＝1时的2．42 eV，带隙的变化很小．另外，霍尔测量结果表明，Cd含量对Zn1-x Cdx O薄膜的电学性质影响很大．

关键词：磁控溅射、Zn1-x Cdx O薄膜、结构、光电性能

所属期刊栏目：37

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金项目11254001

在线出版日期：2016-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-54