10.3969/j.issn.1674-3873.2015.04.007
不同类型碳化硅制备的BAS/SiC复合材料组织及力学性能的研究
采用放电等离子烧结( SPS)方法在1800℃制备了不同类型碳化硅( SiC)的BAS/SiC陶瓷基复合材料.采用阿基米德排水法、XRD、SEM及三点弯曲等分析测试手段研究了复合材料的致密度、物相组成、显微结构及室温力学性能.实验结果表明,BAS能有效地促进复合材料的致密化.复合材料中没有发生β-SiC→α-SiC相的转变. SiC晶粒均匀地分散在连续的BAS晶相中,且与BAS之间结合紧密.与以α-SiC为原始粉体制备的复合材料的室温抗弯强度相比,β-SiC为原始粉体制备的复合材料的室温抗弯强度提高13.93%。
硅铝酸钡、放电等离子烧结、显微结构、力学性能
TB332(工程材料学)
四平市科技发展计划项目四科合字第2014053号
2015-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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