退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响

摘要：

本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590 ℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.

关键词：ZnO薄膜、真空退火、p型导电、磁控溅射、半导体

所属期刊栏目：28

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：Programfor National Science Foundation of China30670293;Ford for Universoty of the Higer Education on Poctor's degree200850200009

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8-12