10.3969/j.issn.1674-3873.2006.03.032
直流电弧法合成立方氮化硼纳米晶体
用直流弧光放电的方法已经合成了C-BN的纳米晶体.并用XRD,TEM方法鉴定了其生长粉末的特性.其结果已经表明在粉末中,从20~60 nm,c-BN和h-BN颗粒可以共存.升华-再杂化-结晶的反应途径已经提出来用以解释C-BN的生长机理.
直流电弧、纳米晶体、XRD、TEM
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O469(真空电子学(电子物理学))
2006-10-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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