AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究

摘要：

本文采用波长都是808 nm,有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器,针对其热特性做了对比实验.结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器.在20 ℃时,特征温度可达到200 K,阈值电流380 mA,而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器,最大寿命达4 000 h,这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据,也拓宽了808 nm激光材料的选择范围.

关键词：半导体激光器、热特性、应变量子阱

所属期刊栏目：27

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60477010;60476026

在线出版日期：2006-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：24-25