高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计

摘要：

大功率半导体激光器,有一个很重要的问题就是散热问题.为了制作出高质量的半导体激光器,我们必须做好激光器材料选取与结构设计.本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系,择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料,从而设计出AlInGaAS/AlGaAs/GaAs应变量子阱激光器,20～40℃时T0值可达到200K,最低阈值电流密度为126 A/cm2.

关键词：半导体激光器、特征温度、应变量子阱

所属期刊栏目：26

分类号：TN248.5(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：17-18