电针百会和四神聪对缺血再灌注损伤模型鼠学习记忆能力及细胞凋亡的影响

摘要：

目的:观察电针百会穴、四神聪穴对中动脉闭塞(MCAO)模型鼠学习记忆能力的改善作用,并探讨其相关机制.方法:将80只SD大鼠随机分为假手术组(n=20)、造模组(n=60),造模组大鼠接受改良线栓法制备缺血再灌注损伤模型,将其中成模的40只随机分为模型组、电针组及抑制剂(LY294002)组,每组10只.假手术组、模型组大鼠仅接受模拟抓取,1次/d,电针组及抑制剂组大鼠接受电针百会穴、四神聪穴,1次/d,30 min/次,连续干预14 d,用Morris水迷宫测大鼠学习记忆行为学能力改变,用2,3,5-氯化三苯四唑(TTC)染色法观察大鼠脑梗死体积变化,Tunel检测神经元细胞凋亡情况,用Western Bloting检测PI3K、AKT、p-AKT水平变化,用酶联免疫吸附试验法(ELISA)检测大鼠外周血清Bcl-2、Bax的水平变化.结果:电针四神聪可明显改善MCAO大鼠学习记忆能力,减少脑梗死体积及神经元的凋亡率,降低Bax水平,上调PI3K、p-AKT、Bcl-2水平,上述作用可被PI3K-AKT信号通路抑制剂LY294002削弱.结论:电针百会穴、四神聪穴可改善缺血再灌注损伤所致的学习记忆障碍,其作用机制可能是通过PI3 K-AKT信号通路实现.

关键词：缺血再灌注损伤、大脑中动脉闭塞、百会、四神聪、电针、学习记忆、凋亡、PI3K-AKT通路

所属期刊栏目：16

分类号：R245(中医临床学)

资助基金：基础研究项目19YYJC1209;HIF-1α,STAT3,Noth1

在线出版日期：2021-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1226-1230