850nm窄发散角单模半导体激光器材料研究

摘要：

短距离激光雷达技术应用广泛,但是要求器件的发散角比较小.针对器件的发散角,通过商用软件和波导模拟软件,设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构.采用非对称波导结构设计,有助于降低内部光学损耗,提高激光器的斜率效率,降低激光器功耗.通过优化腐蚀阻挡层GaInP的掺杂浓度,消除能带不连续导致器件电压升高问题.采用MOCVD生长了带有腐蚀阻挡层的AlGaAs/GaAs非对称扩展波导外延片,并制作成条宽2.5μm、腔长1mm的激光器芯片.测试结果表明,室温条件直流条件测试下,阈值电流为35mA,斜率效率为1.2 W/A,输出功为200mW@200mA,快轴发散角测试为15°.

关键词：850nm、单模、窄发散角、激光二极管

分类号：TN248.4;O43;G420

在线出版日期：2023-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：190-194