注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位的检测

摘要：

目的 探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点.方法 应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较.结果 与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显延长;ERN潜伏期(Cz、Fz、C3和C4)明显延迟、波幅(Cz、C3、Fz和Pz)降低.结论 ADHD患儿的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了患者内在错误监控机制存在缺陷.

关键词：注意缺陷多动障碍、错误相关负电位、事件相关电位

所属期刊栏目：9

分类号：R748;R338.8(神经病学与精神病学)

资助基金：上海市闸北区卫生局课题2011YB05

在线出版日期：2013-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：106-108