四氯化硅氢化关键反应的密度泛函理论模拟研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.13880/j.cnki.65-1174/n.2021.21.038

四氯化硅氢化关键反应的密度泛函理论模拟研究

引用
本文利用Gaussian软件对四氯化硅氢化过程中的关键反应进行了理论研究,相关计算均通过密度泛函理论并采用B3LYP/6-311+G(2d,p)基组和方法进行.模拟结果表明该过程所涉及的反应遵循自由基链式机理;对各基元反应能量变化以及活化能进行比较,发现该过程的链引发为热致SiCl4分子均相分解为SiCl3自由基和Cl原子.SiCl3自由基引导并维持后续的链式扩展过程,随后经历自由基和原子间的终止反应,生成SiHCl3、SiH2 Cl2、SiH3 Cl和SiH4等目标产物.

四氯化硅;氢化;密度泛函理论;模拟

39

TQ223.12(基本有机化学工业)

兵团重大科技项目2017AA007,2020AA004

2021-12-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

537-540

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

石河子大学学报(自然科学版)

1007-7383

65-1174/N

39

2021,39(5)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn