向列相液晶自由能密度的拓扑结构

摘要：

通过对经典向列相液晶自由能密度表达式的深入分析,添加了一项代表液晶缺陷自由能的表面项.利用?映射方法和拓扑流理论研究了集中在缺陷处的自由能密度的表达式.结果显示,缺陷自身的自由能密度是以1/2kπ为单位拓扑量子化的,且拓扑量子数由Hopf指数和Brouwer度决定.进一步给出了一些不同向错强度下缺陷附近的液晶分子的分布构形.

关键词：液晶、指向矢、自由能、缺陷、拓扑流

所属期刊栏目：28

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：上海市星系与宇宙学半解析研究重点实验室开放课题资助项目SKLA2102

在线出版日期：2023-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1094-1105